Vánoční provoz a PF 2025
Vážení zákazníci,
aby bylo možné dodat objednané zboží před začátkem vánočních svátků, odešleme poslední várku zboží v tomto roce ve čtvrtek 19. prosince. Objednávky došlé po 11. hodině 19. prosince odešleme až 2. ledna 2025.
Děkujeme za váš zájem v tomto roce,
přejeme vám hodně zdraví, pohody a úspěchů v roce 2025.
ČSN EN 62373 (358767)
Zkouška stability tranzistorů MOSFET při namáhání napětím a teplotou
Anotace obsahu normy
Tato norma uvádí zkušební postupy pro zkoušení stability tranzistorů řízených polem (MOSFET) při kombinovaném namáhání napětím a teplotou.
Při dlouhodobém namáhání zvýšenou teplotou a napětím G-S dochází k degradaci MOSFET, klesá saturační proud a vzrůstá absolutní hodnota prahového napětí.
Zaváděná IEC 62373 představuje celkem 27 stran anglického a francouzského textu.
| Označení | ČSN EN 62373 (358767) |
|---|---|
| Katalogové číslo | 78056 |
| Cena | 350 Kč350 |
| Datum schválení | 1. 3. 2007 |
| Datum účinnosti | 1. 4. 2007 |
| Jazyk | angličtina (obsahuje anglický text a českou titulní stranu) |
| Počet stran | 32 stran formátu A4 |
| EAN kód | 8590963780566 |
| Dostupnost | skladem (tisk na počkání) |
foo