Vážení zákazníci,
v období 12. do 27. února bude prodej norem přerušen z důvodu stěhování. Objednávky, které obdržíme do středy 11. února, odešlete do pátku 13. února. Pozdější objednávky vyřídíme až v pondělí 2. března. Osobní odběr bude, po domluvě termínu, možný do čtvrtka 12. února.
Děkujeme za pochopení.
ČSN EN 62373 (358767)
Zkouška stability tranzistorů MOSFET při namáhání napětím a teplotou
Anotace obsahu normy
Tato norma uvádí zkušební postupy pro zkoušení stability tranzistorů řízených polem (MOSFET) při kombinovaném namáhání napětím a teplotou.
Při dlouhodobém namáhání zvýšenou teplotou a napětím G-S dochází k degradaci MOSFET, klesá saturační proud a vzrůstá absolutní hodnota prahového napětí.
Zaváděná IEC 62373 představuje celkem 27 stran anglického a francouzského textu.
| Označení | ČSN EN 62373 (358767) |
|---|---|
| Katalogové číslo | 78056 |
| Cena | 350 Kč350 |
| Datum schválení | 1. 3. 2007 |
| Datum účinnosti | 1. 4. 2007 |
| Jazyk | angličtina (obsahuje anglický text a českou titulní stranu) |
| Počet stran | 32 stran formátu A4 |
| EAN kód | 8590963780566 |
| Dostupnost | skladem (tisk na počkání) |
foo