Přihlásit | Registrovat | Jak nakupovat | Reklamace | Kontakty
Uživatel nepřihlášen (přihlásit)
Celková cena: 0 Kč | Košík je prázdný

Navigátor

ČSN EN 62373 (358767)

Zkouška stability tranzistorů MOSFET při namáhání napětím a teplotou

Objednat
Cena: 350 Kč
včetně 10 % DPH
ks
skladem
tisk na počkání

Zobrazit všechny normy ze třídy 3587 Polovodičové součástky

ICS: 31.080.30 Tranzistory

Anotace obsahu normy

Tato norma uvádí zkušební postupy pro zkoušení stability tranzistorů řízených polem (MOSFET) při kombinovaném namáhání napětím a teplotou.
Při dlouhodobém namáhání zvýšenou teplotou a napětím G-S dochází k degradaci MOSFET, klesá saturační proud a vzrůstá absolutní hodnota prahového napětí.
Zaváděná IEC 62373 představuje celkem 27 stran anglického a francouzského textu.

Označení ČSN EN 62373 (358767)
Katalogové číslo 78056
Cena 350 Kč vč. DPH
Datum schválení 1. 3. 2007
Datum účinnosti 1. 4. 2007
Jazyk angličtina (obsahuje anglický text a českou titulní stranu)
Počet stran 32 stran formátu A4
EAN kód 8590963780566
Dostupnost skladem (tisk na počkání)